XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀。研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀......

给出了一种用吸收光谱法实时监测XeF激光器XeF2气体压强的方法，标定了XeF2气体在波长为253.7nm处的吸收截面的大小XeF-2532.7=(4.55......

在低阻硅（1-10Ω.cm）衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导......

利用XeF2光解离波图像，测量了现有激光实验条件下的解离波半径及传输速度，解离波厚度为5～8mm，传输速度随泵浦时间的增加而减慢，平均速度......

利用分幅相机拍摄了不同实验条件下的XeF2光解离波图像,反映了解离波的形成过程,获得了不同XeF2初始浓度下光解离波半径、解离层厚......

介绍了采用光谱吸收法实时监测重复频率XeF（C-A）蓝绿激光器中XeF2气体浓度的原理和控制XeF2气体浓度的方法；给出了监测窗中XeF2气体浓......

XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体，可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体，其对硅刻蚀特性呈现各向同性．研制了一个使用脉冲法对......